自整角机模块用高可靠性达林顿管及其制作方法

摘要

本发明属于半导体晶体管技术领域，具体涉及到一种自整角机模块用高可靠性达林顿管及其制作方法。按照本发明提供的技术方案，所述管芯包括形成于集电区的高阻第二外延层内的前级晶体管基区与后级晶体管基区，在前级晶体管基区内有前级晶体管发射区，在后级晶体管基区内有后级晶体管发射区，其特征是：在后级晶体管发射区旁边的后级晶体管基区内有电压保护环，在集电区的高阻第二外延层、前级晶体管基区与后级晶体管基区及前级晶体管发射区与后级晶体管发射区的同一侧的表面设置起保护作用的二氧化硅膜；并在所述二氧化硅膜的上面对应于前级晶体管基区的部位设置基极金属连线的基极铝层。本发明的产品具有输出电流大、耐压高、输出功率稳定、抗烧性强、密封性能好等特点。

主权项

1、自整角机模块用高可靠性达林顿管，包括管座(18)与管芯(20)，所述管芯(20)包括形成于集电区的高阻第二外延层(4)内的前级晶体管基区(3)与后级晶体管基区(15)，在前级晶体管基区(3)内有前级晶体管发射区(16)，在后级晶体管基区(15)内有后级晶体管发射区(2)，其特征是：在后级晶体管发射区(2)旁边的后级晶体管基区(15)内有电压保护环(5)，在集电区的高阻第二外延层(4)、前级晶体管基区(3)与后级晶体管基区(15)及前级晶体管发射区(16)与后级晶体管发射区(2)的同一侧的表面设置起保护作用的二氧化硅膜(6)；并在所述二氧化硅膜(6)的上面对应于前级晶体管基区(3)的部位设置基极金属连线的基极铝层(7)，在对应于后级晶体管发射区(2)与后级晶体管基区(15)的部位设置前级晶体管(T1)的发射极与后级晶体管(T2)的基极的连接铝层(14)，在对应于后级晶体管发射区(2)的部位设置发射极金属连线的发射极铝层(8)；在集电区的用于提高击穿电压和二次击穿的高阻第二外延层(4)的下面设置用于提高二次击穿的集电区的低阻第一外延层(11)。