发明名称 |
マスクの作成方法、このマスクを用いたパターニング方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
摘要 |
The present invention relates to a method of making a mask for patterning a thin film. The method includes a step of forming an inorganic material, which is resolvable into alkali solution, on a substrate; a step of forming the inorganic material in a predetermined pattern; and a step of narrowing the inorganic material with the alkali solution to form the mask. |
申请公布号 |
JP5692146(B2) |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
JP20120094576 |
申请日期 |
2012.04.18 |
申请人 |
TDK株式会社 |
发明人 |
渡辺 久義;谷津 秀幸;西澤 孝行;佐野 正志;梅原 弘道;金谷 貴保;堀 哲二 |
分类号 |
H01L21/3065;G11B5/31;G11B5/39;H01L21/027 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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