发明名称 マスクの作成方法、このマスクを用いたパターニング方法およびマイクロデバイスの製造方法
摘要 The present invention relates to a method of making a mask for patterning a thin film. The method includes a step of forming an inorganic material, which is resolvable into alkali solution, on a substrate; a step of forming the inorganic material in a predetermined pattern; and a step of narrowing the inorganic material with the alkali solution to form the mask.
申请公布号 JP5692146(B2) 申请公布日期 2015.04.01
申请号 JP20120094576 申请日期 2012.04.18
申请人 TDK株式会社 发明人 渡辺 久義;谷津 秀幸;西澤 孝行;佐野 正志;梅原 弘道;金谷 貴保;堀 哲二
分类号 H01L21/3065;G11B5/31;G11B5/39;H01L21/027 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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