負ベベルにより終端した、高い阻止電圧を有するＳｉＣ素子

摘要

本開示は、高い阻止電圧および低いオン抵抗の両方を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体素子に関する。一実施形態では、当該半導体素子は、少なくとも１０キロボルト（ｋＶ）の阻止電圧と、１０ミリオーム平方センチメートル（ｍ&OHgr;・ｃｍ２）未満、さらにより好ましくは５ｍ&OHgr;・ｃｍ２未満のオン抵抗と、を有する。別の実施形態では、当該半導体素子は、少なくとも１５ｋＶの阻止電圧と、１５ｍ&OHgr;・ｃｍ２未満、さらにより好ましくは７ｍ&OHgr;・ｃｍ２未満のオン抵抗と、を有する。さらに別の実施形態では、当該半導体素子は、少なくとも２０ｋＶの阻止電圧と、２０ｍ&OHgr;・ｃｍ２未満、さらにより好ましくは１０ｍ&OHgr;・ｃｍ２未満のオン抵抗と、を有する。当該半導体素子は、パワーサイリスタ等のサイリスタ、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ：Ｂｉｐｏｌａｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ：Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、またはＰＩＮダイオードであることが好ましいが、必須ではない。