半导体装置

摘要

半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上的多个氧化物半导体TFT，所述多个氧化物半导体TFT分别具有第一栅极电极、与所述第一栅极电极接触的第一绝缘层、以隔着所述第一绝缘层与所述第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层以及与所述氧化物半导体层连接的源极电极和漏极电极；和仅覆盖所述多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层，所述多个氧化物半导体TFT包括被所述有机绝缘层覆盖的第一TFT和没有被所述有机绝缘层覆盖的第二TFT，所述第二TFT还包括以隔着第二绝缘层与所述氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极，该第二栅极电极配置成从基板法线方向看时隔着所述氧化物半导体层与所述第一栅极电极的至少一部分重叠。