发明名称 Verfahren zum Ausdünnen und Einhausen eines Halbleiterchips
摘要 Ein Halbleiterwafer und eine Vielzahl von Halbleiternacktchips werden bereitgestellt. Der Wafer und die Nacktchips umfassen jeweils auf einer Hauptoberfläche angeordnete erste leitfähige Anschlüsse. Der Wafer wird mit jedem der Halbleiternacktchips dauerhaft verbunden, sodass die ersten Anschlüsse miteinander elektrisch verbunden werden. Zumindest eines von Wafer und Halbleiternacktchips werden ausgedünnt. Der Wafer wird so vereinzelt, dass eine Vielzahl von Chipstapeln ausgebildet wird, wobei jeder der Chipstapel einen der Halbleiternacktchips dauerhaft an einem vereinzelten Wafer-Chip befestigt umfasst. Zumindest einer der ersten Anschlüsse in dem Chipstapel ist durch einen auf einer rückwärtigen Oberfläche angeordneten und durch ein elektrisches Verbindungselement, das einem Halbleiterkörper entweder des Halbleiternacktchips oder des vereinzelten Wafer-Chips des Chipstapels inhärent ist, elektrisch mit dem ersten Anschluss verbundenen zweiten elektrisch leitfähigen Anschluss zugänglich.
申请公布号 DE102016101136(A1) 申请公布日期 2016.07.28
申请号 DE201610101136 申请日期 2016.01.22
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 Tan, Aik Teong
分类号 H01L25/04;H01L21/304;H01L21/50 主分类号 H01L25/04
代理机构 代理人
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