| 发明名称 |
Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| 摘要 |
본 발명의 기술적 사상은 반도체 소자의 신뢰성 및 특성 열화없이 다양한 문턱 전압(Vth)을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 반도체 소자는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상부 부분에 형성된 활성 영역; 및 상기 반도체 기판 상에 상기 활성 영역을 가로질러 연장하고, 계면층, 고유전체층, 희토류 원소(Rare Earth element: RE) 공급층, RE가 포함된 제1 메탈층, 및 제2 메탈층이 순차적으로 적층된 게이트 구조체;를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160126485(A) |
申请公布日期 |
2016.11.02 |
| 申请号 |
KR20150057537 |
申请日期 |
2015.04.23 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
SON, HYEOK JUN;KIM, WAN DON;NA, HOON JOO;SONG, JAE YEOL;HYUN, SANG JIN;HWANG, YOON TAE |
| 分类号 |
H01L29/423;H01L21/28;H01L29/66 |
主分类号 |
H01L29/423 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
