降低或消除漏电的半导体结构及方法

摘要

本发明是有关于一种降低或消除漏电的半导体结构及方法，一种在最佳化光电二极管的灵敏度时，用以降低或消除于固定光电二极管与同时制造的浅沟渠隔离(STI)结构间的漏电的方法与系统。本方法至少包括：一系统，具有植入于P型基材内的N+型区；一P型井，将N+型区与浅沟渠隔离结构分离；以及至少一P+型区，位于N+型区上，并与P型井的至少一部分以及位于N+型区与P型井之间的基材部分重叠。介于N+型区与邻近于浅沟渠隔离结构的受损区域之间的空隙大于介于N+型区与P型井之间的空乏区所扩展的距离。本发明将各特征的接面予以最佳化，以针对所吸收光的波长来最大化感光响应，并降低或消除漏电。

主权项

1、一种半导体结构，用以降低或消除固定光电二极管与浅沟渠隔离结构之间的漏电，其特征在于该半导体结构至少包括：具一第一杂质型的一第一区域，形成于具一第二杂质型的一半导体基材的一表面下，且配置于复数个浅沟渠隔离结构之间；具该第二杂质型的一半导体井，其中该半导体井将该第一区域与每一该些浅沟渠隔离结构横向分离，且该半导体井包括一受损部分邻近于每一该些浅沟渠隔离结构并朝向该第一区域；该半导体基材的一基材部分，介于该第一区域与该半导体井之间；具该第二杂质型的一第二区域，覆盖该第一区域与该基材部分且与该半导体井的至少一部分重迭，其中该第二区域形成于该半导体基材中并从该表面向下扩展；可扩展的一空乏区，沿着该第一区域与该基材部分之间的边界；以及一横向间隙，介于该第一区域与邻近的该受损部分之间，其中该横向间隙足以防止该空乏区在该空乏区的一最大扩展下扩伸至该受损部分，其中该第一区域的一下边界低于该表面超过实质0.8微米。