半导体器件的制造方法、集成电路、电光装置和电子仪器

摘要

一种半导体器件的制造方法、集成电路、电光装置和电子仪器，所述半导体器件制造方法包括：在第一基板(10)上形成剥离层(12)的剥离层形成工序；在剥离层上形成绝缘膜(14)的绝缘膜形成工序；在绝缘膜(14)上形成多个微孔(16)的微孔形成工序；在绝缘膜上和微孔(16)内形成半导体膜(18)的成膜工序；通过热处理，熔融结晶化半导体膜，形成包含以所述各微孔大致作为中心的大致单晶的晶粒而构成的结晶性半导体膜(20)的结晶化工序；使用各结晶性半导体膜形成半导体元件(T)的元件形成工序；在剥离层(12)的层内和/或界面上产生剥离，将半导体元件转移到第二基板上的转移工序。根据本发明，可在大面积基板上容易形成细微且高性能的薄膜半导体元件。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：在第一基板上形成剥离层的剥离层形成工序；在所述剥离层上形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在所述绝缘膜形成多个微孔的微孔形成工序；在所述绝缘膜上和所述微孔内形成半导体膜的成膜工序；结晶化工序，通过热处理使所述半导体膜熔融结晶化，形成结晶性半导体膜；使用所述各个结晶性半导体膜，形成半导体元件的元件形成工序；转移工序，在所述剥离层的层内和/或界面产生剥离，使所述半导体元件从所述第一基板脱离，将所述半导体元件转移到第二基板，其特征在于：在结晶化工序中，所述结晶性半导体膜形成为包含以所述各微孔大致作为中心的大致单晶的晶粒而构成的结晶性半导体膜，结晶化工序中的热处理是使微孔以外的区域的半导体膜完全熔融，微孔内的半导体膜表面附近熔融且微孔底边附近不熔融，其中在微孔形成工序中形成的微孔的孔径为50nm～200nm左右。