发明名称 |
一种有机薄膜晶体管气体传感器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种有机薄膜晶体管气体传感器,属于气体传感器领域。本发明采用底栅底接触结构,包括:位于绝缘衬底下的栅极和位于绝缘衬底上的源、漏电极以及表面的有源层;其特征在于,采用叉指电极结构作为源、漏电极,所述有源层以叉指电极对称中轴线为对称轴被分为两个对称的分区,所述各分区均沉积有对同一特定气体具有不同响应的有机半导体气体敏感薄膜。本发明提供的传感器可以提高传感器对气体选择性,改善基线漂移的现象,提高了传感器的稳定性和精确度;兼有反应速度快、便于测量、便于携带、应用范围广等优点;可实现大规模生产、满足现实需求。 |
申请公布号 |
CN105866215A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201610173978.7 |
申请日期 |
2016.03.24 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
谢光忠;吴寸雪;唐诗;马行方;苏元捷;太惠玲;杜晓松;杜鸿飞 |
分类号 |
G01N27/414(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
G01N27/414(2006.01)I |
代理机构 |
成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 |
代理人 |
葛启函 |
主权项 |
一种有机薄膜晶体管气体传感器,采用底栅底接触结构,包括:位于绝缘衬底下的栅极和位于绝缘衬底上的源、漏电极以及表面的有源层;其特征在于,采用叉指电极结构作为源、漏电极,所述有源层以叉指电极对称中轴线为对称轴被分为两个对称的分区,所述各分区均沉积有对同一特定气体具有不同响应的有机半导体气体敏感薄膜。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |