具有嵌入式电容的半导体元件基材

摘要

本发明是有关于一种具有嵌入式电容的半导体元件基材，此半导体元件包括动态随机存取记忆晶胞结构，而此动态随机存取记忆晶胞结构至少包括具有嵌入式电容结构的绝缘层上有硅(Silicon On Insulator；SOI)基材。此半导体元件的制造方法包括：提供基材，此基材至少包括位于上方的第一电性绝缘层；形成第一电性导电层于第一电性绝缘层上，以形成第一电极；形成电容介电层于第一电极上；形成第二电性导电层于电容介电层上，以形成第二电极；形成第二电性绝缘层于第二电极上；以及形成单晶硅层于第二电极上，以形成绝缘层上有硅基材，其中此绝缘层上有硅基材至少包括第一电容结构。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于该半导体元件至少包括具有一嵌入式电容结构的一绝缘层上有硅基材，且该半导体元件的制造方法至少包括：提供一基材，该基材至少包括位于上方的一第一电性绝缘层；依序在该第一电性绝缘层上形成一第一电性导电层、一电容介电层以及一第二电性导电层，其中该第一电性导电层为一第一电容结构的一第一电极，且该第二电性导电层为该第一电容结构的一第二电极；于该第二电极形成在该基材的上方后，形成一第二电性绝缘层于该第二电极上；以及于该第二电性绝缘层形成在该基材之上方后，形成一单晶硅层于该第二电极上，以形成该绝缘层上有硅基材，其中该绝缘层上有硅基材至少包括该第一电容结构。