发明名称 Device and process for chemical vapor phase treatment
摘要 기판 처리용 장치(1)는 제어되는 압력 및 온도를 갖는 챔버(4)를 포함하는데, 기판 지지대(5)는 챔버(4)의 내측에 위치되고, 챔버(4)는 기상 증착을 수행하기 위한 가스 유입부, 및 챔버의 상측 벽(30)을 포함하는데, 그 챔버에는 제1 유입부(11)에 연결된 복수의 제1 채널(45)들 및 제2 유입부(12)에 연결된 복수의 제2 채널(37)들이 제공되며, 제1 채널 및 제2 채널은 챔버(4) 안으로 개방되고 또한 상측 벽(30)에 균일하게 분포되고, 가열 요소(14)는 상측 벽(30) 위에 배치되고, 가스 방출 링(49)은 기판 지지대(5)와 상측 벽(30) 사이에 배치된다. 상측 벽(30)은 전기적으로 도전성이고 또한 기판 지지대(5)에 대해 절연되어 있어서, 상측 벽(30)과 기판 지지대(5) 간에 전압을 인가할 수 있다.
申请公布号 KR101639690(B1) 申请公布日期 2016.07.14
申请号 KR20107026592 申请日期 2009.04.22
申请人 알따떼크 세미컨덕터 发明人 보랑 크리스또프;델카리 쟝-루크
分类号 C23C16/44;C23C16/455;C23C16/46;H01L21/205 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
主权项
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