| 发明名称 | 形成磁随机存取存储器蚀刻间隔体的方法以及由此形成的结构 | ||
| 摘要 | 描述了一种形成存储器件结构的方法。这些方法可以包括：在磁性隧道结结构的顶部电极上形成非导电间隔体材料；并且然后在蚀刻磁性隧道结的底部电极之前，在磁性隧道结的非导电间隔体材料上形成高度选择性的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105765752A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201480064384.1 | 申请日期 | 2014.11.17 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | D·R·兰伯恩;O·戈隆茨卡;C·维甘德 |
| 分类号 | H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;韩宏 |
| 主权项 | 一种形成存储器件结构的方法，包括：在磁性隧道结结构的顶部电极上形成非导电间隔体材料，其中，电介质材料被布置在所述磁性隧道结结构的所述顶部电极与底部电极之间；在所述非导电间隔体材料上形成高度选择性的材料；以及蚀刻所述底部电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||