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Es ist ein piezoresistiver Drucksensor in BESOI-Technologie beschrieben, der insbesondere für die Messung geringer Drücke geeignet ist und einen geringen Linearitätsfehler aufweist, der aus einem eine erste und eine zweite Siliziumschicht (1, 3) und eine dazwischen angeordnete Oxidschicht (5) aufweisenden BESOI-Wafer gefertigt ist, der eine aus der ersten Siliziumschicht (1) des BESOI-Wafers gebildete Aktivschicht (7) aufweist, in der piezoresistive Elemente (9) eindotiert sind, und der einen aus der zweiten Siliziumschicht (3) des BESOI-Wafers gebildeten Membranträger (11) aufweist, der eine Ausnehmung (13) in der zweiten Siliziumschicht (3) außenseitlich umgibt, über die ein eine Membran (15) bildender Bereich der Aktivschicht (7) und der damit verbundenen Oxidschicht (5) freigelegt ist, bei dem in einem äußeren Rand des durch die Ausnehmung (13) freigelegten Bereichs (21) der Oxidschicht (5) eine den Bereich (21) umgebende Nut (19) vorgesehen ist.
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