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<p>Es wird eine Rückkontakt-Solarzelle vorgeschlagen, bei der an einem Halbleitersubstrat vom Basis-Halbleitertyp an einer Rückseitenoberfläche sowohl Emitterbereiche 5 als auch stark dotierte Basisbereiche 7 ausgebildet sind, die jeweils von Emitterkontakten 11 und Basiskontakten 13 elektrisch kontaktiert werden. Eine Grenzfläche 21, an der stark dotierte Basisbereiche 7 an stark dotierte Emitterbereiche 5 angrenzen, ist größer als 5% der Rückseitenoberfläche 3 des Halbleitersubstrats 1. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass die Emitterbereiche 5 die Basisbereiche 7 in Überlappungsbereichen 19 lateral in Ebenen parallel zur Rückseitenoberfläche 3 des Halbleitersubstrats 1 überlappen. Aufgrund der großen Grenzfläche 21 zwischen hoch dotierten Emitter- und Basisbereichen 5, 7 kann in dieser Region eine p+n+-Junction erzeugt werden, die bei entsprechend hohen Spannungen einen ausreichend hohen Strom in Sperrichtung fließen lässt, um für die Solarzelle als Bypass-Diode wirken zu können.</p> |
