发明名称 |
極低温用高電圧ブッシング |
摘要 |
極低温用途に使用される高電圧電気ブッシングが開示される。このブッシングは、第1及び第2のブッシング部分と、前記第1及び第2のブッシング部分内に軸方向に配置された電気導体とを含む。前記電気導体は、前記第1のブッシング部分から延出する第1の端子及び前記第2のブッシング部分から延出する第2の端子を有する。前記第1の端子は周囲温度にある第1の電気要素に結合するように構成され、前記第2の端子は極低温温度にある第2の電気要素に結合するように構成される。前記第1及び第2のブッシング部分はベース絶縁体材料を備えるが、前記第1のブッシング部分は前記ベース絶縁体部分上に配置された環境保護層を更に備える。 |
申请公布号 |
JP2016521431(A) |
申请公布日期 |
2016.07.21 |
申请号 |
JP20160501397 |
申请日期 |
2014.03.12 |
申请人 |
ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド |
发明人 |
カセン ディー テクレットサディク;チャールズ エル スタンレー;セマーン ファーサン;ニコラス エイ ヴェヌート;スコット ニッカーソン |
分类号 |
H01B17/58;H01B17/26;H01L39/04;H02G15/34 |
主分类号 |
H01B17/58 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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