发明名称 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 | ||
摘要 | 本发明涉及一种发光元件、发光装置、电子设备及照明装置,其中,所述发光元件包括:阳极与阴极之间的EL层;阴极与EL层之间的第一层,第一层含有具有空穴传输性的物质以及相对于具有空穴传输性的物质的受主物质;阴极与EL层之间的第二层;以及阴极与EL层之间的第三层,第三层含有碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的一种,其中,第一层设置在阴极与第二层之间并接触于阴极及第二层,第二层设置在第一层与第三层之间并接触于第一层及第三层,并且,第三层设置在第二层与EL层之间并接触于第二层及EL层,其特征在于,第二层含有酞菁类材料。 | ||
申请公布号 | CN104168682B | 申请公布日期 | 2016.10.19 |
申请号 | CN201410391765.2 | 申请日期 | 2011.03.08 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 能渡广美;濑尾哲史 |
分类号 | H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 郭辉 |
主权项 | 一种发光元件,包括:阳极与阴极之间的EL层;所述阴极与所述EL层之间的第一层,所述第一层含有具有空穴传输性的物质以及相对于所述具有空穴传输性的物质的受主物质;所述阴极与所述EL层之间的第二层,所述第二层含有酞菁类材料,所述酞菁类材料由下述结构式中的任一个表示:<img file="FDA0000971966190000011.GIF" wi="1638" he="1591" /><img file="FDA0000971966190000021.GIF" wi="1574" he="738" />以及所述阴极与所述EL层之间的第三层,所述第三层含有碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的一种,其中,所述第二层还含有碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的一种,所述第一层设置在所述阴极与所述第二层之间并接触于所述阴极及所述第二层,所述第二层设置在所述第一层与所述第三层之间并接触于所述第一层及所述第三层,并且,所述第三层设置在所述第二层与所述EL层之间并接触于所述第二层及所述EL层。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |