| 发明名称 | 垂直磁各向异性磁隧道结的基准层 | ||
| 摘要 | 一种装置包括垂直磁各向异性磁隧道结(pMTJ)器件。该pMTJ器件包括存储层和基准层。该基准层包括配置成产生铁磁效应的部分。该部分包括第一层、第二层和第三层。该第二层配置成在pMTJ器件的操作期间抗铁磁地(AF)耦合第一层和第三层。 | ||
| 申请公布号 | CN106104697A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201580012789.5 | 申请日期 | 2015.02.26 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | M·G·戈特瓦尔德;C·朴;X·朱;K·李;S·H·康 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 袁逸 |
| 主权项 | 一种装置，包括：垂直磁各向异性磁隧道结(pMTJ)器件的存储层；以及所述pMTJ器件的基准层，其中所述基准层包括配置成产生铁磁效应的部分，所述部分包括第一层、第二层和第三层，并且其中所述第二层配置成在所述pMTJ器件的操作期间抗铁磁地(AF)耦合所述第一层和所述第三层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||