发明名称 |
自对准晶片或芯片结构以及自对准堆迭结构及其制造方法 |
摘要 |
一种自对准晶片或芯片结构,其包括一基底、至少一第一凹座、至少一第二凹座、至少一连接结构以及至少一凸块。上述基底具有一第一表面以及一第二表面,且第一表面上已形成有至少一焊垫。上述第一凹座位于第一表面上,且第一凹座与焊垫电性连接。上述第二凹座设置于第二表面上。上述连接结构贯穿基底并且位于第一凹座与第二凹座之间,且连接结构与第一凹座以及第二凹座电性连接。上述的凸块会填满于第二凹座内,且凸块会突出第二表面。 |
申请公布号 |
CN101330067A |
申请公布日期 |
2008.12.24 |
申请号 |
CN200710112081.4 |
申请日期 |
2007.06.22 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
陈荣泰;何宗哲;朱俊勋 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L25/065(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
许向华 |
主权项 |
1.一种自对准晶片或芯片结构,包括:一基底,其具有一第一表面以及一第二表面,该第一表面上已形成有至少一焊垫;至少一第一凹座,位于该第一表面上,且该第一凹座与该焊垫电性连接;至少一第二凹座,设置于该第二表面;至少一连接结构,贯穿该基底并且位于该第一凹座与该第二凹座之间,其中该连接结构与该第一凹座和该第二凹座电性连接;以及至少一凸块,填满该第二凹座内,且该凸块会突出该第二表面。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |