发明名称 自对准晶片或芯片结构以及自对准堆迭结构及其制造方法
摘要 一种自对准晶片或芯片结构,其包括一基底、至少一第一凹座、至少一第二凹座、至少一连接结构以及至少一凸块。上述基底具有一第一表面以及一第二表面,且第一表面上已形成有至少一焊垫。上述第一凹座位于第一表面上,且第一凹座与焊垫电性连接。上述第二凹座设置于第二表面上。上述连接结构贯穿基底并且位于第一凹座与第二凹座之间,且连接结构与第一凹座以及第二凹座电性连接。上述的凸块会填满于第二凹座内,且凸块会突出第二表面。
申请公布号 CN101330067A 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN200710112081.4 申请日期 2007.06.22
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 陈荣泰;何宗哲;朱俊勋
分类号 H01L23/485(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L25/065(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/485(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 许向华
主权项 1.一种自对准晶片或芯片结构,包括:一基底,其具有一第一表面以及一第二表面,该第一表面上已形成有至少一焊垫;至少一第一凹座,位于该第一表面上,且该第一凹座与该焊垫电性连接;至少一第二凹座,设置于该第二表面;至少一连接结构,贯穿该基底并且位于该第一凹座与该第二凹座之间,其中该连接结构与该第一凹座和该第二凹座电性连接;以及至少一凸块,填满该第二凹座内,且该凸块会突出该第二表面。
地址 中国台湾新竹县