| 发明名称 | 多位铁电性存储器装置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供多位铁电性存储器装置及其形成方法。一种形成多位铁电性存储器装置的实例性方法可包含：在通孔的第一侧上形成第一铁电性材料；移除一材料以暴露所述通孔的第二侧；及在所述通孔的所述第二侧上以与所述通孔的所述第一侧相比不同的厚度形成第二铁电性材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105793929A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201480066590.6 | 申请日期 | 2014.10.29 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 卡迈勒·M·考尔道;F·丹尼尔·吉利;D·V·尼马尔·拉马斯瓦米;钱德拉·V·穆利 |
| 分类号 | G11C11/22(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种用于形成存储器装置的方法，其包括：在通孔的第一侧上形成第一铁电性材料；移除一材料以暴露所述通孔的第二侧；及在所述通孔的所述第二侧上以与所述通孔的所述第一侧相比不同的厚度形成第二铁电性材料。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||