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Halbleitervorrichtung (10) mit: einem Halbleiterkörper (12) mit einer Oberfläche (14), einer polykristallines Silizium (32) aufweisenden Gateelektrodenstruktur (20) eines IGFETs (22) in einem ersten Graben (28), der sich von der Oberfläche (14) in den Halbleiterkörper (12) hinein erstreckt, und einem von der Gateelektrodenstruktur (20) des IGFETs (22) verschiedenen und polykristallines Silizium (32) aufweisenden Halbleiterelement (26) in einem zweiten Graben (30), der sich von der Oberfläche (14) in den Halbleiterkörper (12) hinein erstreckt, wobei das polykristalline Silizium (32) des IGFETs (22) und des hiervon verschiedenen Halbleiterelements (26) unterhalb einer Oberseite (34) einer an die Oberfläche (14) des Halbleiterkörpers (12) angrenzenden Isolationsschicht (36) endet, und wobei das Halbleiterelement (26) eine Diode, einen Widerstand, einen Kondensator, eine Sensorstruktur, eine Schmelzverbindung und/oder Schmelzisolation, oder eine Randabschlussstruktur des IGFETs (22) umfasst. |
