Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Halbleitervorrichtung, welche einen Halbleiterchip enthält und einen Strom in einer Dickenrichtung des Halbleiterchips fließen lässt, welche Halbleitervorrichtung enthält: einen aktiven Abschnitt (200), enthaltend ein auf der Seite einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterchips selektiv gebildetes Basisgebiet (5) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine Halbleitersubstratschicht (1) von einem ersten Leitfähigkeitstyp auf der Seite einer zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips und eine Driftschicht (3) vom ersten Leitfähigkeitstyp zwischen der Halbleitersubstratschicht (1) vom ersten Leitfähigkeitstyp und dem Basisgebiet (5) vom zweiten Leitfähigkeitstyp; eine mit dem Basisgebiet (5) vom zweiten Leitfähigkeitstyp elektrisch verbundene erste Hauptelektrode (6); ein in vier äußeren Peripherieebenen längs einer Schneidebene (9) des Halbleiterchips gebildetes Pfeilergebiet (11) vom ersten Leitfähigkeitstyp; einen den aktiven Abschnitt (200) umgebenden Randabschlussabschnitt (300), welcher Randabschlussabschnitt (300) ein durchgängig zwischen dem aktiven Abschnitt (200) und dem Pfeilergebiet (11) und durchgängig zwischen einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterchips und der Halbleitersubstratschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp gebildetes erstes Halbleitergebiet (8) vom zweiten Leitfähigkeitstyp enthält; und eine mit der Seite der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips elektrisch verbundene zweite Hauptelektrode (7)