| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在同一衬底上具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置。该半导体装置包括具有第一导电型的半导体衬底(10)；在半导体衬底(10)上形成的具有第二导电型的第一势阱(20)；三重势阱(30)，其形成在半导体衬底(10)上并包括具有第二导电型的第二势阱(32)，以及在该第二势阱(32)内形成的具有第一导电型的第三势阱(34)；在第一势阱(20)内形成的具有第一导电型低压晶体管(100P)；在半导体衬底上形成的有第二导电型的低压晶体管(200N)；在三重势阱(30)的第二势阱(32)处形成的具有第一导电型高压晶体管(400P)；在三重势阱的第三势阱(34)处形成的具有第二导电型高压晶体管(300N)。第一势阱(20)中的杂质浓度比三重势阱(30)的第二势阱(32)的杂质浓度要高。 | ||
| 申请公布号 | CN1291494C | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN03106203.2 | 申请日期 | 2003.02.21 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 林正浩 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/82(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：具有第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的具有第二导电型的第一势阱；一个三重势阱，所述三重势阱形成在所述半导体衬底上并包括具有第二导电型的第二势阱，以及在该第二势阱内形成的具有第一导电型的第三势阱；在所述第一势阱内形成的具有第一导电型的低压晶体管；在所述半导体衬底上形成的具有第二导电型的低压晶体管；在所述三重势阱的所述第二势阱处形成的具有第一导电型的高压晶体管；以及在所述三重势阱的所述第三势阱处形成的具有第二导电型的高压晶体管，其中，所述第一势阱中的杂质浓度比所述三重势阱的所述第二势阱的杂质浓度要高。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||