| 发明名称 | 掺杂的氮化铝晶体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 具有高电导率和迁移率的掺杂AlN晶体和/或AlGaN外延层，通过如下步骤进行制造：例如形成包含多种杂质物类的混合晶体，和电激活该晶体的至少一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101331249A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200680045153.1 | 申请日期 | 2006.12.04 |
| 申请人 | 晶体公司 | 发明人 | L·J·斯库瓦特;G·A·斯莱克 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | C30B29/40(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 1.形成掺杂AlN晶体的方法，该方法包括以下步骤：a.形成包含AlN和多种杂质物类的混合晶体；和b.电激活至少一部分混合晶体中的至少一种杂质物类以便形成掺杂AlN晶体。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||