| 发明名称 |
窒化アルミニウム単結晶基板を組込んだパワー半導体デバイス |
| 摘要 |
本発明は、窒化アルミニウム単結晶基板を有するパワー半導体デバイスを提供する。前記基板の転位密度は約１０５ｃｍ−２未満であり、（００２）結晶面および（１０２）結晶面の結晶面に対する二軸のロッキングカーブの半値全幅（ＦＷＨＭ）が、約２００アークセカント未満であり、パワー半導体構造は、窒化アルミニウム単結晶基板の上に少なくとも１層のドープしたＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を備える。【選択図】図３ |
| 申请公布号 |
JP2016520992(A) |
申请公布日期 |
2016.07.14 |
| 申请号 |
JP20160501867 |
申请日期 |
2014.03.13 |
| 申请人 |
ヘクサテック，インコーポレイテッド |
发明人 |
ムーディー，バクスター;ミタ，セイジ;シエ，ジンチアオ |
| 分类号 |
H01L29/872;C23C16/18;C23C16/34;C30B23/06;C30B25/18;C30B29/38;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/28;H01L29/205;H01L29/47 |
主分类号 |
H01L29/872 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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