| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung ist ein Schneidverfahren zum Schneiden eines Silicium-Ingots mit einer Drahtsäge bereit, umfassend das Versetzen eines um eine Vielzahl von Drahtführungen gewickelten Drahtes in eine Laufbewegung und das Drücken des Silicium-Ingots gegen den laufenden Draht, während ein Kühlmittel zum Draht zugeführt wird, zum Schneiden des Silicium-Ingots in eine Vielzahl von geschnittenen Wafern, wobei das zum Draht zuzuführende Kühlmittel eine Kupferkonzentration von 80 ppm oder weniger aufweist. Als Ergebnis wird ein Schneidverfahren bereitgestellt, das mit einer Drahtsäge zuverlässig hochreine Siliciumwafer erzeugen kann, deren Kupferverunreinigung verringert wird. |
