发明名称 |
Verfahren zum Herstellen von Masken |
摘要 |
Ein Verfahren zum Herstellen einer Gruppe von Masken zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises umfasst das Ermitteln des Vorhandenseins einer ersten Durchkontaktierungs-Layoutstruktur und einer Speisespannungsleitungs-Layoutstruktur in einem Original-Layoutentwurf. Die erste Durchkontaktierungs-Layoutstruktur und die Speisespannungsleitungs-Layoutstruktur überlappen einander. Die erste Durchkontaktierungs-Layoutstruktur ist Teil eines ersten Zellen-Layouts des Original-Layoutentwurfs. Das erste Zellen-Layout und ein zweites Zellen-Layout des Original-Layoutentwurfs haben die Speisespannungsleitungs-Layoutstruktur gemeinsam. Das Verfahren umfasst weiterhin das Modifizieren des Original-Layoutentwurfs zu einem modifizierten Layoutentwurf und das Herstellen der Gruppe von Masken auf Grund des modifizierten Layoutentwurfs. In dem Fall, dass die erste Durchkontaktierungs-Layoutstruktur und die Speisespannungsleitung in dem Original-Layoutentwurf vorhanden sind, umfasst das Modifizieren des Original-Layoutentwurfs das Ersetzen der ersten Durchkontaktierungs-Layoutstruktur durch eine vergrößerte Durchkontaktierungs-Layoutstruktur. |
申请公布号 |
DE102016101128(A1) |
申请公布日期 |
2016.08.18 |
申请号 |
DE201610101128 |
申请日期 |
2016.01.22 |
申请人 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
发明人 |
Guo, Ta-Pen;Chiu, Yi-Hsun;Lin, Yi-Hsiung |
分类号 |
G06F17/50 |
主分类号 |
G06F17/50 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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