发明名称 Verfahren zum Herstellen von Masken
摘要 Ein Verfahren zum Herstellen einer Gruppe von Masken zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises umfasst das Ermitteln des Vorhandenseins einer ersten Durchkontaktierungs-Layoutstruktur und einer Speisespannungsleitungs-Layoutstruktur in einem Original-Layoutentwurf. Die erste Durchkontaktierungs-Layoutstruktur und die Speisespannungsleitungs-Layoutstruktur überlappen einander. Die erste Durchkontaktierungs-Layoutstruktur ist Teil eines ersten Zellen-Layouts des Original-Layoutentwurfs. Das erste Zellen-Layout und ein zweites Zellen-Layout des Original-Layoutentwurfs haben die Speisespannungsleitungs-Layoutstruktur gemeinsam. Das Verfahren umfasst weiterhin das Modifizieren des Original-Layoutentwurfs zu einem modifizierten Layoutentwurf und das Herstellen der Gruppe von Masken auf Grund des modifizierten Layoutentwurfs. In dem Fall, dass die erste Durchkontaktierungs-Layoutstruktur und die Speisespannungsleitung in dem Original-Layoutentwurf vorhanden sind, umfasst das Modifizieren des Original-Layoutentwurfs das Ersetzen der ersten Durchkontaktierungs-Layoutstruktur durch eine vergrößerte Durchkontaktierungs-Layoutstruktur.
申请公布号 DE102016101128(A1) 申请公布日期 2016.08.18
申请号 DE201610101128 申请日期 2016.01.22
申请人 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 发明人 Guo, Ta-Pen;Chiu, Yi-Hsun;Lin, Yi-Hsiung
分类号 G06F17/50 主分类号 G06F17/50
代理机构 代理人
主权项
地址