| 摘要 |
Es sind ein Bildsensor (100) und eine bildgebende Vorrichtung (1000) vorgesehen. Der Bildsensor (100) einer Mehrschichtsensorstruktur, weist eine Mehrzahl von Abtastpixeln (PX) auf, wobei jeder der Mehrzahl von Abtastpixeln (PX) eine Mikrolinse (MLS), welche konfiguriert ist zum Sammeln von Licht, einen ersten photoelektrischen Wandler (110), welcher konfiguriert ist zum Umwandeln von Licht eines ersten Wellenlängenbands in ein elektrisches Signal, und einen zweiten photoelektrischen Wandler (120), der auf einem Substrat (SUB) gebildet ist, aufweist, der konfiguriert ist zum Umwandeln von einfallendem Licht in ein elektrisches Signal, wobei eine Mittelachse (CX) des zweiten photoelektrischen Wandlers (120) von einer optischen Achse (MLX) der Mikrolinse (MLS) beabstandet ist. |
