| 发明名称 |
HIGH SPEED SENSING FOR ADVANCED NANOMETER FLASH MEMORY DEVICE |
| 摘要 |
어드밴스트 나노미터 플래시 메모리 디바이스들에 대한 개선된 감지 회로들 및 개선된 비트 라인 레이아웃들이 개시된다. |
| 申请公布号 |
KR101691319(B1) |
申请公布日期 |
2016.12.29 |
| 申请号 |
KR20157020604 |
申请日期 |
2014.01.14 |
| 申请人 |
실리콘 스토리지 테크놀로지 인크 |
发明人 |
트란 히예우 반;리 안;부 투언;구엔 헝 큐옥;티와리 비핀 |
| 分类号 |
H01L27/115;G11C16/06;G11C16/24;G11C16/28 |
主分类号 |
H01L27/115 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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