| 发明名称 | 双栅全耗尽SOI CMOS器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种双栅全耗尽SOI CMOS器件，该器件包括硅衬底、埋氧层和形成在顶层硅膜中的n型沟道场效应晶体管、p型沟道场效应晶体管及器件介质隔离。本发明同时公开了一种制备双栅全耗尽SOI CMOS器件的方法。利用本发明，提高了源漏击穿电压和沟道区载流子迁移率，降低了工艺复杂程度和器件性能的波动。 | ||
| 申请公布号 | CN101221957A | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN200710063371.4 | 申请日期 | 2007.01.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 海潮和;毕津顺;孙海峰;韩郑生;赵立新 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种双栅全耗尽绝缘体上硅互补式金属氧化层半导体器件，其特征在于，该器件包括硅衬底(03)、埋氧层(02)和形成在顶层硅膜(01)中的n型沟道场效应晶体管、p型沟道场效应晶体管及器件介质隔离(05)。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||