半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有多层布线结构，所述制造方法其特征在于：具有以下工序：在半导体衬底上形成的下层布线上形成第1绝缘膜；在所述第1绝缘膜上形成第2绝缘膜；在所述第2绝缘膜上形成第3绝缘膜；对所述第3绝缘膜、所述第2绝缘膜以及所述第1绝缘膜进行干刻蚀，形成直到所述下层布线的开口部；在所述开口部的内面以及所述第3绝缘膜上形成阻挡层金属膜；以埋入所述开口部的方式在所述阻挡层金属膜上形成导电层；对所述第3绝缘膜上的所述导电层、所述第3绝缘膜上的所述阻挡层金属膜、所述第3绝缘膜以及所述第2绝缘膜的一部分通过化学机械研磨法除去，形成与所述下层布线电连接的上层布线；以及对露出的所述第2绝缘膜和所述导电层的表面进行还原性等离子体处理，形成所述第2绝缘膜的工序是下述这样的工序：使用下式所表示的烷基烷氧基硅烷和非氧化性气体作为原料气体，通过等离子体CVD法在小于等于500Pa的压力下进行成膜，RwSixOy(OR’)z 其中，R和R’为CH3，w、x、z为正整数，y是0或正整数，w/x＝2。