| 发明名称 | 低压大电流硅NPN型功率晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种低压大电流硅NPN型功率晶体管，包括N型衬底，还包括形成于N型衬底背面的背面金属层，用于形成晶体管的集电极；N型衬底的上方中间形成有P型基区，P型基区四周被P+型基区包围；P型基区的上方覆盖有基区金属层，用于形成晶体管的基极；P型基区的正面形成有N+型发射区，N+型发射区的上方覆盖有发射区金属层，用于形成晶体管的发射极；发射区金属层和基区金属层相互隔离；衬底的顶部覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层上方形成有表面保护阻挡层；N型衬底的正面边缘四周形成有沟槽，沟槽的内部覆盖有钝化膜。本实用新型具有可靠性高，漏电小，抗烧毁能力强，电流大，开关时间速度快等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN205406526U | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201620174130.1 | 申请日期 | 2016.03.07 |
| 申请人 | 无锡固电半导体股份有限公司 | 发明人 | 龚利汀;陈丽兰;龚利贞 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/082(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人 | 曹祖良;屠志力 |
| 主权项 | 一种低压大电流硅NPN型功率晶体管，包括N型衬底，其特征在于，还包括：形成于N型衬底背面的背面金属层(10)，用于形成晶体管的集电极；N型衬底的上方中间形成有P型基区（5），P型基区（5）四周被P+型基区（6）包围；P型基区（5）的上方覆盖有基区金属层（1），用于形成晶体管的基极；P型基区（5）的正面形成有N+型发射区（4），N+型发射区（4）的上方覆盖有发射区金属层（2），用于形成晶体管的发射极；发射区金属层（2）和基区金属层（1）相互隔离；衬底的顶部覆盖有绝缘介质层(3)，绝缘介质层（3）上方形成有表面保护阻挡层（12）；N型衬底的正面边缘四周形成有沟槽（8），沟槽（8）的内部覆盖有钝化膜（11）。 | ||
| 地址 | 214062 江苏省无锡市新吴区新梅路68号 | ||