发明名称 双谐振高带宽RFID超高频抗金属标签及实现方法
摘要 本发明属于微带天线技术领域,提供了双谐振高带宽RFID超高频抗金属标签及实现方法,包括:基板,表面用银浆进行丝印,丝印后具有2个功分电路端、馈线槽、芯片槽的图案;电极层,为涂覆在除丝印后图案区域外的基板表面的银浆层;芯片,放置在芯片槽内,具有2个触点,分别用于连接电极层和馈线;馈线,放置在馈线槽内,与接地层导通连接;接地层,为涂覆在整块基板背面的银浆层;并通过回波损耗的曲线图得出馈线输入阻抗Za(L)=27+j200与芯片的输入阻抗Z<sub>L</sub>=27.5‑j201时最匹配。本发明具有提高微带天线的自身带宽,并且能够在各种金属反射环境中均能正常工作,适用性强的优点。
申请公布号 CN103886363B 申请公布日期 2016.09.14
申请号 CN201410090438.3 申请日期 2014.03.12
申请人 上海安威士科技股份有限公司 发明人 仇成林;钱玲玲
分类号 G06K19/077(2006.01)I 主分类号 G06K19/077(2006.01)I
代理机构 上海国智知识产权代理事务所(普通合伙) 31274 代理人 潘建玲
主权项 双谐振高带宽RFID超高频抗金属标签的实现方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一:制作多种规格的双谐振高带宽RFID超高频抗金属标签;首先设计好基板的图案,具体为基板表面具有2个功分电路端、馈线槽、芯片槽的图案,芯片槽的位置随着馈线槽的长度不同而不同;进一步地,按照预先设计好的基板图案通过银浆对基板表面进行丝印;进一步地,将与基板图案同等大小的丝网覆盖在基板表面丝印后的图案位置,再对基板进行银浆涂覆;进一步地,对银浆涂覆后的基板进行300°中温烘干;进一步地,将烘干后的基板放入850°高温烤箱中进行烧结;进一步地,将馈线和芯片分别安装在馈线槽和芯片槽内,并将芯片的1个触点与电极层相连接,另1个触点与馈线的一端相连接,馈线的另一端与接地层相连接,即得到多种规格的双谐振高带宽RFID超高频抗金属标签;步骤二:将根据该步骤一中烧结出的多种双谐振高带宽RFID超高频抗金属标签放入仪器中进行回波损耗测量,进一步地根据频率f<sub>r</sub>绘制出多种双谐振高带宽RFID超高频抗金属标签的回波损耗的曲线图;并对回波损耗的曲线图进行分析;根据回波损耗越小,芯片能工作的带宽越宽的原理,可知:当频率为915MHz时,回波损耗值最小;步骤三:根据导带参数固定的电性能值计算出导带宽度;具体公式如下:<maths num="0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>W</mi><mo>=</mo><mfrac><mi>c</mi><mrow><mn>2</mn><msub><mi>f</mi><mi>r</mi></msub></mrow></mfrac><msup><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><msub><mi>&epsiv;</mi><mi>r</mi></msub><mo>+</mo><mn>1</mn></mrow><mn>2</mn></mfrac><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn><mo>/</mo><mn>2</mn></mrow></msup><mo>,</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0001032645190000011.GIF" wi="511" he="185" /></maths>其中,W表示导带宽度,单位m;c表示光速,单位3×10<sup>8</sup>米/秒;f<sub>r</sub>表示频率,单位Hz;ε<sub>r</sub>表示相对介电常数;步骤四:根据该步骤三计算出的导带宽度W,计算出波长的等效伸长量;具体公式如下:<maths num="0002"><math><![CDATA[<mrow><mi>&Delta;</mi><mi>L</mi><mo>=</mo><mn>0.412</mn><mi>h</mi><mfrac><mrow><mo>(</mo><msub><mi>&epsiv;</mi><mi>e</mi></msub><mo>+</mo><mn>0.3</mn><mo>)</mo><mo>(</mo><mi>W</mi><mo>/</mo><mi>h</mi><mo>+</mo><mn>0.264</mn><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>(</mo><msub><mi>&epsiv;</mi><mi>e</mi></msub><mo>-</mo><mn>0.258</mn><mo>)</mo><mo>(</mo><mi>W</mi><mo>/</mo><mi>h</mi><mo>+</mo><mn>0.8</mn><mo>)</mo></mrow></mfrac><mo>,</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0001032645190000021.GIF" wi="915" he="182" /></maths>其中,ΔL表示波长的等效伸长,单位m;h表示基板厚度,单位m;ε<sub>e</sub>表示分布电容率常数,具体数值为1.45;步骤五:根据该步骤四计算出的波长的等效伸长,计算出馈线长度;具体公式如下:<maths num="0003"><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>&lambda;</mi><mi>g</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mi>c</mi><msub><mi>f</mi><mi>r</mi></msub></mfrac></mrow>]]></math><img file="FDA0001032645190000022.GIF" wi="260" he="130" /></maths>L=0.5λ<sub>g</sub>‑2ΔL其中,L表示馈线长度,单位m;λg表示入射波长度,单位m;c表示光速,单位3×10<sup>8</sup>米/秒;f<sub>r</sub>表示频率,单位Hz;步骤六:首次,预算出基板厚度h和导带宽度W的关系,然后选定Z<sub>0</sub><sup>α</sup>适用的分段函数进行计算,若基板厚度大于等于导带宽度,则算出来自变量W/h的取值范围是小于等于1,进而将基板厚度h和导带宽度W带入分段函数的第一段函数求出阻抗Z<sub>0</sub><sup>α</sup>;若基板厚度小于导带宽度,则算出来自变量W/h的取值范围是大于1,进而基板厚度h和导带宽度W带入分段函数的第二段函数求出阻抗Z<sub>0</sub><sup>α</sup>;具体公式如下:<maths num="0004"><math><![CDATA[<mrow><msup><msub><mi>Z</mi><mn>0</mn></msub><mi>&alpha;</mi></msup><mo>=</mo><mfenced open = "{" close = ""><mtable><mtr><mtd><mrow><mn>59.952</mn><mi>ln</mi><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><mn>8</mn><mi>h</mi></mrow><mi>W</mi></mfrac><mo>+</mo><mfrac><mi>W</mi><mrow><mn>4</mn><mi>h</mi></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow></mrow></mtd><mtd><mfenced open = "(" close = ")"><mtable><mtr><mtd><mfrac><mi>W</mi><mi>h</mi></mfrac><mo>&le;</mo><mn>1</mn></mtd></mtr></mtable></mfenced></mtd></mtr><mtr><mtd><mfrac><mrow><mn>119.904</mn><mi>&pi;</mi></mrow><mrow><mfrac><mi>W</mi><mi>h</mi></mfrac><mo>+</mo><mn>2.42</mn><mo>-</mo><mn>0.44</mn><mfrac><mi>h</mi><mi>W</mi></mfrac><mo>+</mo><msup><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><mfrac><mi>h</mi><mi>W</mi></mfrac><mo>)</mo></mrow><mn>6</mn></msup></mrow></mfrac></mtd><mtd><mfenced open = "(" close = ")"><mtable><mtr><mtd><mfrac><mi>W</mi><mi>h</mi></mfrac><mo>&gt;</mo><mn>1</mn></mtd></mtr></mtable></mfenced></mtd></mtr></mtable></mfenced><mo>,</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0001032645190000023.GIF" wi="1070" he="382" /></maths>其中,Z<sub>0</sub><sup>α</sup>表示阻抗;步骤七:根据该步骤六中求出的阻抗<img file="FDA0001032645190000024.GIF" wi="56" he="57" />求出馈线的特性阻抗Z<sub>0</sub>;<maths num="0005"><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>Z</mi><mn>0</mn></msub><mo>=</mo><msup><msub><mi>Z</mi><mn>0</mn></msub><mi>&alpha;</mi></msup><mo>/</mo><msqrt><msub><mi>&epsiv;</mi><mi>e</mi></msub></msqrt></mrow>]]></math><img file="FDA0001032645190000025.GIF" wi="382" he="183" /></maths>其中,Z<sub>0</sub>表示馈线的特性阻抗,ε<sub>e</sub>表示分布电容率常数,具体数值为1.45;步骤八:根据该步骤七中计算出的特性阻抗Z<sub>0</sub>,计算出天线输入阻抗Z<sub>a</sub>(L);具体公式如下:<maths num="0006"><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>Z</mi><mi>a</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mi>L</mi><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><msub><mi>Z</mi><mn>0</mn></msub><mfrac><mrow><msub><mi>Z</mi><mi>L</mi></msub><mo>+</mo><msub><mi>jZ</mi><mn>0</mn></msub><mi>t</mi><mi>a</mi><mi>n</mi><mrow><mo>(</mo><mi>&beta;</mi><mi>L</mi><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><msub><mi>Z</mi><mn>0</mn></msub><mo>+</mo><msub><mi>jZ</mi><mi>L</mi></msub><mi>t</mi><mi>a</mi><mi>n</mi><mrow><mo>(</mo><mi>&beta;</mi><mi>L</mi><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>,</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0001032645190000031.GIF" wi="973" he="206" /></maths>其中,Za(L)表示天线输入阻抗,单位为Ω;Z<sub>0</sub>表示馈线的特性阻抗,单位为Ω;Z<sub>L</sub>表示芯片的输入阻抗,单位为Ω;L表示馈线长度,单位m;β表示传播系数,无单位;步骤九:由该步骤三至八的计算可知,频率为915MHz时,回波损耗值最小,此时的馈线与芯片最为匹配,故得出馈线输入阻抗Za(L)=27+j200与芯片的输入阻抗Z<sub>L</sub>=27.5‑j201时最匹配。
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