Verfahren für die Herstellung eines Siliziumcarbid-Einkristalls

摘要

Es ist ein Verfahren für die Herstellung eines Siliziumcarbid-Einkristalls angegeben, das in der Lage ist, auf einfache Art und Weise ein Siliziumcarbid-Einkristall von einem Sockel zu trennen. Das Verfahren umfasst den Schritt des Fixierens eines Impfsubstrates an einem Sockel mit einer dazwischen befindlichen Spannungspufferschicht (S10), den Schritt des Züchtens eines Siliziumcarbid-Einkristalls auf dem Impfsubstrat (S20), den Schritt des Trennens des Siliziumcarbid-Einkristalls von dem Sockel an der Spannungspufferschicht (S30) und den Schritt des Entfernens eines Rückstandes der Spannungspufferschicht, die an dem Siliziumcarbid-Einkristall haftet, der dem Schritt des Trennens (S30) unterzogen wird (S40).