Halbleitervorrichtung mit Gate-Finnen

摘要

Eine Halbleitervorrichtung umfasst Gate-Finnen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterteil (100) erstrecken. Die Gate-Finnen (150) umfassen Gateelektroden (155) und sind längs Elementlinien (190) angeordnet, wobei Längsachsen der Gate-Finnen (150) parallel zu den Elementlinien (190) sind. Säulenabschnitte (175) des Halbleiterteiles (100) trennen die Gate-Finnen (150) voneinander längs der Elementlinien (190).