制造浅沟槽隔离结构（STI）的方法

摘要

本发明是关于一种在半导体基底上，具有良好填沟能力的浅沟槽隔离结构制造方法。首先，在半导体基底上形成沟槽，并在该沟槽的底部与侧壁依序形成内衬氧化物层与内衬氮化硅层；接着在该沟槽中顺应性的沉积部分高密度电浆氧化物层(HDP oxide)；接着，在半导体基底表面顺应性的形成一多晶硅层，再将半导体基底进行热处理以氧化该多晶硅层；接着将该半导体基底表面进行平坦化制程，以形成浅沟槽隔离结构(STI)。借由该高密度电浆氧化物与氧化后的多晶硅层，可以在沟槽中形成填充良好无孔洞的隔离结构。

主权项

1.一种制造浅沟槽隔离结构的方法，适用于一半导体基底上，包含下列步骤：在该半导体基底上形成一沟槽；在该沟槽底部与侧壁上形成一内衬氧化物(liner oxide)；在该内衬氧化物上形成一内衬氮化物层(liner nitride)；借由高密度电浆化学气相沉积法(HDPCVD)顺应性地在该沟槽中沉积一部分的一氧化物层；在该氧化物层上顺应性地沉积一硅层；将该半导体基底进行一热处理以氧化该硅层；以及将该半导体基底表面进行平坦化。