| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 按本发明制备具有由氧化钨(WO<SUB>X</SUB>)制的至少一个层的，必要时具有由氧化钨(WO<SUB>X</SUB>)制的一个已结构化层的一种半导体元件。按本发明的半导体元件的特征在于，氧化钨层(WO<SUB>X</SUB>)的相对介电常数(ε<SUB>r</SUB>)大于50。 | ||
| 申请公布号 | CN100355085C | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN00805029.5 | 申请日期 | 2000.01.05 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·施雷姆斯;D·德雷谢尔;H·乌策;H·图斯 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01) | 主分类号 | H01L29/51(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种具有由氧化钨(3′)制成的至少一个层的半导体元件，其特征在于，氧化钨层(3′)的相对介电常数(εr)大于50，并且采用所述氧化钨层(3′)作为存储器电介层，栅极电介层，隧道电介层或STI衬垫电介层。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||