| 发明名称 | 晶体管、阵列基板及其制造方法、液晶面板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种晶体管、阵列基板及其制造方法、液晶面板和显示装置，所述晶体管为氧化物薄膜晶体管，其中包括氧化物半导体层（4）和栅绝缘层（3），其特征在于，所述栅绝缘层（3）包括有氮氧化硅材质的氮氧化硅层（9），该氮氧化硅层（9）贴靠于所述氧化物半导体层（4）。本发明能够有效地改善氧化物薄膜晶体管的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102738243B | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201210185116.8 | 申请日期 | 2012.06.06 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 谢振宇;张文余;徐少颖;李田生;阎长江 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/35(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭红丽 |
| 主权项 | 一种氧化物薄膜晶体管，包括氧化物半导体层和栅绝缘层，所述栅绝缘层为有氮氧化硅材质的氮氧化硅层和氮化硅材质的氮化硅层，该氮氧化硅层贴靠于所述氧化物半导体层，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为<img file="FDA0000906870920000011.GIF" wi="278" he="70" />所述氮氧化硅材质中氧、硅、氮的摩尔比为1：0.5～3：0.5～4，所述氮氧化硅材质是由氮化硅材质经氧化工艺处理形成，在氧化工艺处理中采用TFT‑LCD5G设备SE‑1300T，功率为5000W～6000W，气压为100mtorr，氧流量为1000sccm，惰性气体为He，流量为1000sccm。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 | ||