发明名称 |
N型双面电池及其制备方法 |
摘要 |
本申请公开了一种N型双面电池的制备方法,包括:S1:对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀,并去除损伤层,使得N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层;S2:在炉管中对N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层,作为N型双面电池的正面;S3:去除硼硅玻璃,并在N型双面电池的正面制作掩膜;S4:在炉管中对N型硅片衬底的另一面进行磷扩散小形成N+层,作为N型双面电池的背面;S5:去除边结、磷硅玻璃以及N型双面电池的正面制作的掩膜;S6:分别在N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极,获得N型双面电池。N型双面电池的制备方法提高了N型双面电池的光利用率和光电转换效率。本申请还公开了一种N型双面电池。 |
申请公布号 |
CN105870221A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201610383582.5 |
申请日期 |
2016.06.01 |
申请人 |
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
发明人 |
黄纪德;蒋方丹;金浩 |
分类号 |
H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0236(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
罗满 |
主权项 |
一种N型双面电池的制备方法,其特征在于,包括:S1:对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀,并去除损伤层,使得所述N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层;S2:在炉管中对所述N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层,作为N型双面电池的正面;S3:去除硼硅玻璃,并在所述N型双面电池的正面制作掩膜;S4:在炉管中对所述N型硅片衬底的另一面进行磷扩散形成N+层,作为N型双面电池的背面;S5:去除边结、磷硅玻璃以及所述N型双面电池的正面制作的掩膜;S6:分别在所述N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极,获得N型双面电池。 |
地址 |
314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 |