具有混合型异质结构的图像传感器

摘要

一种图像传感器结构提供了超过100dB的SNR，而不需要使用机械快门。用于有效像素传感器阵列的电路部件被分离并且被垂直地布置在混合芯片结构中的至少两个不同层中。顶层优选地使用低噪声PMOS制造工艺制造，并且包括用于每个像素的光电二极管和放大器电路。底层优选地使用标准CMOS工艺来制造，并且包括NMOS像素电路部件和信号处理所需的任何数字电路。与使用CMOS相比，通过在为形成低噪声像素优化的PMOS工艺中形成顶层，像素性能可以被大大地改善。

主权项

一种图像传感器，包括：包括像素元件阵列的PMOS电路层；每个像素元件包括：钉扎光电二极管；和放大器，所述放大器包括P‑FET晶体管；包括支持像素电路的CMOS层，所述支持像素电路包括N‑FET晶体管；其中在PMOS层中的每个像素元件被连接到在CMOS层中的支持像素电路。