发明名称 |
半导体发光结构;SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING STRUCTURE |
摘要 |
一种半导体发光结构,包括一基板、一第一半导体层、一主动层以及一第二半导体层。第一半导体层形成于基板上。主动层形成于部分第一半导体层上,并且裸露部分第一半导体层作为第一电极预定区。第二半导体层形成于主动层上,第二半导体层表面具有一第二电极预定区及一微结构预定区,其中微结构预定区包括有复数个凹槽及复数个突出部,且各等突出部是对应地位于各等凹槽中。 |
申请公布号 |
TW201530815 |
申请公布日期 |
2015.08.01 |
申请号 |
TW103102452 |
申请日期 |
2014.01.23 |
申请人 |
隆达电子股份有限公司 LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
邹博闳 TSOU, PO HUNG |
分类号 |
H01L33/36(2010.01) |
主分类号 |
H01L33/36(2010.01) |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉林素华涂绮玲 |
主权项 |
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地址 |
新竹市科学园区工业东三路3号 TW |