发明名称 半导体发光结构;SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING STRUCTURE
摘要 一种半导体发光结构,包括一基板、一第一半导体层、一主动层以及一第二半导体层。第一半导体层形成于基板上。主动层形成于部分第一半导体层上,并且裸露部分第一半导体层作为第一电极预定区。第二半导体层形成于主动层上,第二半导体层表面具有一第二电极预定区及一微结构预定区,其中微结构预定区包括有复数个凹槽及复数个突出部,且各等突出部是对应地位于各等凹槽中。
申请公布号 TW201530815 申请公布日期 2015.08.01
申请号 TW103102452 申请日期 2014.01.23
申请人 隆达电子股份有限公司 LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION 发明人 邹博闳 TSOU, PO HUNG
分类号 H01L33/36(2010.01) 主分类号 H01L33/36(2010.01)
代理机构 代理人 祁明辉林素华涂绮玲
主权项
地址 新竹市科学园区工业东三路3号 TW