半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

若根据一实施形态，则在半导体装置中，第1绝缘膜是设在半导体基板上。复数的第1配线是以对于前述半导体基板而言水平方向相邻的方式设于前述第1绝缘膜中。第2绝缘膜是设在前述第1配线及前述第1绝缘膜之上。复数的导孔是以对于前述半导体基板而言水平方向相邻的方式设在前述第2绝缘膜中，电性连接至前述复数的第1配线。第3绝缘膜是设在前述复数的导孔及前述第2绝缘膜之上。第2配线是以对于前述半导体基板而言水平方向相邻的方式设在前述第3绝缘膜中，电性连接至前述复数的导孔。第4绝缘膜是设在前述相邻的第2配线之彼此对向的各侧面。导电膜是隔着前述第4绝缘膜来与前述相邻的第2配线邻接。