发明名称 一种低电阻率碳纳米管粉体的制备方法
摘要 本发明提供一种低电阻率碳纳米管粉体的制备方法。该方法为:取原始的碳纳米管在大气中进行高温氧化处理,待其充分氧化后取出,放入到酸溶液中进行酸洗浸泡处理,达到所需要求后将其洗涤至中性烘干备用。将烘干后的粉末在其表面掺杂卤族元素,洗涤至中性后烘干得到目标产物。本发明方法能够将原始的高电阻率的碳纳米管的本体电阻率降低,从而提升其本体的导电性能,并可以作为制备各种复合材料的原料。
申请公布号 CN106032271A 申请公布日期 2016.10.19
申请号 CN201510105613.6 申请日期 2015.03.11
申请人 国家电网公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网山东省电力公司泰安供电公司 发明人 王利民;高运兴;姚辉;何卫;孟晓明;黄元飞;陈胜男
分类号 C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01B31/02(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 张惠玲
主权项 一种低电阻率碳纳米管粉体的制备方法,其特征在于,包含有如下步骤:碳纳米管的氧化处理工艺:采用原始的碳纳米管,把其放入到马弗炉或者其他高温设备中进行高温氧化处理,去除其表面的无定形碳及一些易高温挥发或分解的物质,并使得原始碳纳米管表面一些缺陷位置重新生长闭合,得到粉体A;碳纳米管的酸洗浸泡工艺:将经过高温氧化处理的碳纳米管按照和酸溶液混合,施加搅拌后取出,将其洗涤至中性后,得到可用于后续工艺的粉体B;碳纳米管掺杂工艺:将粉体B和能够进行掺杂卤族元素的物质进行混合,此类物质包括卤族元素(氟、氯、溴、碘)单质或者其中几种元素的混合物质,后采取高温或者强光照射处理在封闭容器中反应后取出,洗涤至中性烘干研磨,制备得到低电阻率的碳纳米管粉体。
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