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发明名称
蚀刻双镶嵌结构中的介电阻隔层之方法;METHODS FOR ETCHING A DIELECTRIC BARRIER LAYER IN A DUAL DAMASCENE STRUCTURE
摘要
兹提供可排除双镶嵌结构中之传导层的早期暴露,并可蚀刻双镶嵌结构中之介电阻障层的方法。在一个实施例中,用于蚀刻设置在基板上的介电阻障层之方法包括下列步骤:使用硬遮罩层作为蚀刻遮罩来图案化基板,该基板具有设置于介电阻障层上之介电块体绝缘层,而硬遮罩层设置于介电块体绝缘层上;在移除未由介电块体绝缘层所覆盖之介电块体绝缘层之后,暴露介电阻障层的一部分;从基板移除硬遮罩层;以及后续蚀刻由介电块体绝缘层所暴露之介电阻障层。
申请公布号
TW201532143
申请公布日期
2015.08.16
申请号
TW103144829
申请日期
2014.12.22
申请人
应用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人
任河 REN, HE;高嘉玲 KAO, CHIA LING;康席恩S KANG, SEAN S.;潘德瑞米亚T PENDER, JEREMIAH T.;奈马尼史林尼法斯D NEMANI, SRINIVAS D.;那克美荷B NAIK, MEHUL B.
分类号
H01L21/311(2006.01);H01L21/324(2006.01)
主分类号
H01L21/311(2006.01)
代理机构
代理人
蔡坤财李世章
主权项
地址
美国 US
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