蚀刻后聚合物及硬遮罩移除之加强型移除用方法及硬体;METHOD AND HARDWARE FOR ENHANCED REMOVAL OF POST ETCH POLYMER AND HARDMASK REMOVAL

摘要

清洗基板的方法，包含清洗具有硬遮罩及聚合物膜的基板，此为半导体制造的一部份。清洗方法包含：制程气体混合物及液态清洗化学品的紫外光（UV）曝照。将基板及/或制程流体暴露于紫外线辐射。受照射之制程气体混合物可包含氧化性的气体混合物（空气、洁净乾燥空气、氧、过氧化物等）。亦可照射具有氢之还原性的气体混合物。来自受照射之气体混合物的反应性物种系与基板接触，以例如藉由促进随后的液体清洗步骤而化学性地修饰膜的特性。于基板表面上的液态清洗化学品亦可加以照射。此清洗技术促成较短的清洗时间、较低的制程温度、及对于下方层或中间层（例如介电层）之较低的损害。