| 发明名称 | 具有多层隔膜的微机电系统结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造尤其是MEMS开关的MEMS设备的方法，其包括在基板上方形成柱与传导(传输)线以及在柱与传导线上方形成隔膜的步骤，形成隔膜步骤包括形成第一隔膜层和在柱中的一个上方的区域和/或传导线上方的区域中在第一隔膜层上方形成第二隔膜层使得第一隔膜层具有第二隔膜层未形成在其中的区域，该区域邻近第二隔膜层形成于其中的区域。此外，提供了尤其是MEMS开关的MEMS设备，其包括形成在基板上方的柱与传导(传输)线以及在柱与传导线上方的隔膜。隔膜包括第一隔膜层与在柱中的一个上方的区域和/或传导线上方的区域中形成在第一隔膜层上方的第二隔膜层，使得第一隔膜层具有第二隔膜层未形成在其中的区域，该区域邻近第二隔膜层形成于其中的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN105712285A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201510971269.9 | 申请日期 | 2015.12.22 |
| 申请人 | 德尔福芒斯公司 | 发明人 | 雷诺·罗宾;尼古拉斯·洛尔弗兰;卡里姆·赛格尼 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;H01H59/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 杨生平;钟锦舜 |
| 主权项 | 一种制造尤其是MEMS开关的MEMS设备的方法，包括以下步骤：在基板(10)上方形成柱(30，30’，100)与传导线(40)；以及在所述柱(30，30’，100)与所述传导线(40)上方形成隔膜，包括形成第一隔膜层(60，101)以及在所述柱(30，30’，100)中的一个上方的区域和/或所述传导线(40)上方区域中在所述第一隔膜层(60，101)上方形成第二隔膜层(66，106)，使得所述第二隔膜层(66，106)仅部分地覆盖所述第一隔膜层(60，101)。 | ||
| 地址 | 法国阿斯克新城 | ||