发明名称 スタックドダイアセンブリのためのインターポーザ上の電荷損傷保護
摘要 概してインターポーザ(600,700,800)に関する装置が開示される。そのような装置において、インターポーザ(600,700,800)は、複数の導体(208,451〜459,603〜606)および複数の電荷誘引構造(610,620,710,720,810,820)を有する。複数の電荷誘引構造(610,620,710,720,810,820)は、インターポーザ(600,700,800)に結合されてスタックドダイ(200)を提供することになる少なくとも1つの集積回路ダイ(202)を保護するためのものである。複数の導体(208,451〜459,603〜606)は複数の基板貫通ビア(208)を含む。
申请公布号 JP2016522575(A) 申请公布日期 2016.07.28
申请号 JP20160515034 申请日期 2014.05.20
申请人 ザイリンクス インコーポレイテッドXILINX INCORPORATED 发明人 シアン,チー;リ,シャオ−ユ;チェン,サンティ・エックス;オルーク,グレン
分类号 H01L23/32;H01L23/00;H01L23/12;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L23/32
代理机构 代理人
主权项
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