| 发明名称 | 基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基于基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法，其中基于四方相铁酸铋的MFIS结构，包括：一单晶Si衬底；一绝缘介质层，其制作在半导体单晶Si衬底上，该绝缘介质层能有效防止单晶Si衬底中Si原子的高温扩散和化学反应，有效降低MFIS结构的电荷注入效应并防止击穿现象发生；一T‑BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层，其制作在绝缘介质层上，该T‑BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层是基于四方相铁酸铋MFIS结构的信息存储载体，它具有较大的铁电矫顽场和较高的铁电极化，能有效增大MFIS结构的存储窗口；一金属栅顶电极，其制作在T‑BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层上；一背电极，其制作在单晶Si衬底的背面。 | ||
| 申请公布号 | CN103839946B | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201410085838.5 | 申请日期 | 2014.03.10 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 付振;尹志岗;张兴旺;赵亚娟;陈诺夫;吴金良 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种基于四方相铁酸铋的MFIS结构，包括：一单晶Si衬底；一绝缘介质层，其制作在半导体单晶Si衬底上，该绝缘介质层能有效防止单晶Si衬底中Si原子的高温扩散和化学反应，有效降低MFIS结构的电荷注入效应并防止击穿现象发生；一T‑BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层，其制作在绝缘介质层上，该T‑BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层是基于四方相铁酸铋MFIS结构的信息存储载体，它具有较大的铁电矫顽场和较高的铁电极化，能有效增大MFIS结构的存储窗口；一金属栅顶电极，其制作在T‑BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层上；一背电极，其制作在单晶Si衬底的背面。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||