OXIDE SEMICONDUCTOR FILM MANUFACTURING METHOD

摘要

【課題】酸素欠損が低減された酸化物半導体膜を備えた半導体装置及び半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜１０５と、酸化物半導体膜に接して設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜１１３を介して、酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極１１７と、を少なくとも有する。酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴法によって計測されるｇ（ｇ値）が１．９３付近の信号のピークから算出されたスピン密度が９．３?１０１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満であり、キャリア密度が１?１０１５／ｃｍ３未満である。酸化物半導体膜は、スパッタリング法を用いて形成する際に、基板側にバイアス電力を供給し、自己バイアス電圧を制御しながら形成した後、加熱処理を行うことで形成する。【選択図】図１