使用非晶亚铁磁性合金、由自旋极化电流写入的磁存储器，及其写入方法

摘要

本发明涉及一种磁存储器，其中每个存储器点由磁隧道结(60)构成，该磁隧道结包括：称为受限制层(61)的磁性层，具有硬磁化；称为自由层(63)的磁性层，其磁化可以被翻转；以及设置在自由层(73)和受限制层(71)之间并且与所述两层分别接触的绝缘层(62)。自由层(63)由基于稀土或过渡金属的非晶或纳米晶合金制成，所述合金的磁有序是亚铁磁类型，所述自由层基本为平面磁化。

主权项

1.一种具有由磁隧道结(60)形成的存储器点的磁存储器，每一存储器点包括：●具有硬磁化的被锁定磁性层(61)，●具有可以翻转的磁化的自由磁性层(63)，●插入在所述自由磁性层(63)和所述被锁定磁性层(61)之间并与这两层分别接触的绝缘层(62)，其特征在于：所述自由磁性层(63)由基于稀土和过渡金属的非晶或纳米晶合金制成，所述合金的磁有序是亚铁磁性类型，所述自由磁性层(63)具有基本上平面的磁化，所述磁存储器包括位于每一存储器点的电导体(67)，所述电导体适于发送电流到要被写入的存储器点，所述电流由所述被锁定磁性层(61)自旋极化。