发明名称 |
光致载流子寿命测量装置及光致载流子寿命测量方法 |
摘要 |
包含:光源(20)、(22),其对半导体衬底(S)照射用于产生光致载流子的、波长不同的光;微波产生部(10),其产生对半导体衬底(S)照射的微波;检测部(30),其检测穿透半导体衬底的微波的强度;以及运算部(50),根据在照射所述至少两种光后检测出的微波强度,计算光的波长各自对应的有效载流子寿命,根据计算出的波长各自对应的有效载流子寿命计算半导体衬底(S)的体内载流子寿命和表面复合速度。 |
申请公布号 |
CN104094389B |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201280062241.8 |
申请日期 |
2012.12.11 |
申请人 |
国立大学法人东京农工大学 |
发明人 |
鲛岛俊之 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;G01N22/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 |
代理人 |
齐永红 |
主权项 |
一种测量半导体衬底上产生的光致载流子的有效载流子寿命的光致载流子寿命测量装置,其特征在于,包含:光照射部,其对所述半导体衬底照射用于产生光致载流子的、波长不同的至少两种连续光;微波产生部,其产生对所述半导体衬底照射的微波;检测部,其检测穿透所述半导体衬底的微波的强度;运算部,其根据所述检测部中检测出的微波强度计算有效载流子寿命,所述运算部根据在照射所述至少两种连续光后检测出的微波强度,计算所述至少两种连续光的波长各自对应的有效载流子寿命,根据计算出的所述波长各自对应的有效载流子寿命计算所述半导体衬底的体内载流子寿命和表面复合速度;所述运算部,对以体内载流子寿命及表面复合速度为参数求出的、所述波长各自对应的有效载流子寿命的计算值,以及根据检测出的微波强度而计算出的、所述波长各自对应的有效载流子寿命的测量值,改变所述参数的值,并加以比较,求出所述波长各自对应的有效载流子寿命的计算值与所述波长各自对应的有效载流子寿命的测量值最匹配时所述体内载流子寿命及表面复合速度的值。 |
地址 |
日本东京都 |